[发明专利]碳化硅半导体结构、器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010251981.9 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101989615A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | P·A·罗西;S·D·阿瑟;D·M·布朗;K·S·马托查;R·R·劳 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 结构 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体FET结构(100)，其包括具有第一导电类型的漂移层(112)、在所述漂移层内具有第二导电类型的离子注入基底或屏蔽结构、在所述基底或屏蔽结构(116)内的第一导电类型的离子注入沟道(118)和覆盖在所述基底或屏蔽结构(116)的至少一部分上面的第二导电类型的离子注入表面层(120)。
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