[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010253812.9 | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102376574A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 邵丽;巨晓华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括垂直延伸MOS晶体管区，所述衬底具有第一导电类型；在垂直延伸MOS晶体管区的衬底内形成漏轻掺杂区；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一侧覆盖部分的漏轻掺杂区；以所述栅极结构为掩膜，对漏轻掺杂区和衬底进行第二导电类型离子注入，形成漏重掺杂区和源重掺杂区。本发明所述栅极结构覆盖有部分的漏轻掺杂区，并采用栅极结构为掩膜，进行漏重掺杂区或源重掺杂区的离子注入，使得漏重掺杂区与侧墙的距离保持稳定，进而漏源极导通电阻值和驱动电流保持稳定，提高半导体器件制造工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括垂直延伸MOS晶体管区，所述衬底具有第一导电类型；在垂直延伸MOS晶体管区的衬底内形成漏轻掺杂区；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一侧覆盖部分的漏轻掺杂区；以所述栅极结构为掩膜，对漏轻掺杂区和衬底进行第二导电类型离子注入，形成漏重掺杂区和源重掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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