[发明专利]半导体器件和围绕管芯周边形成坝材料以减小翘曲的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和围绕管芯周边形成坝材料以减小翘曲的方法。一种半导体器件具有临时载体，所述临时载体具有用于第一半导体管芯的指定区域。坝材料被沉积在用于第一半导体管芯的指定区域周围的载体上。第一半导体管芯被安装到载体上的指定区域。在第一半导体管芯和载体上沉积密封剂。坝材料被选择为具有等于或小于密封剂的CTE的CTE。除去所述临时载体以暴露密封剂和第一半导体管芯。在密封剂上形成第一互连结构。可以在第一半导体管芯上形成EMI屏蔽层。在第一半导体管芯的后表面上形成第二互连结构。在第一和第二互连结构之间形成导电柱。第二半导体管芯被安装到第二互连结构。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有用于第一半导体管芯的指定区域的临时载体；在用于第一半导体管芯的指定区域周围的临时载体上沉积坝材料；安装第一半导体管芯，并且它的有源表面面向所述临时载体上的指定区域；在第一半导体管芯和所述临时载体上沉积密封剂，所述坝材料被选择为具有与密封剂的热膨胀系数(CTE)相对应的热膨胀系数(CTE)；除去所述临时载体以暴露密封剂的第一侧和第一半导体管芯的有源表面；以及在密封剂的第一侧上形成第一互连结构。