[发明专利]集成电路装置及封装组件无效
| 申请号： | 201010257039.3 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102201375A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;吴逸文;王俊杰;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：半导体基板；第一凸块底金属层形成于半导体基板之上；第二凸块底金属层形成于第一凸块底金属层之上且具有侧面；导电柱形成于第二凸块底金属层之上且具有侧面与顶面；保护结构形成于导电柱的侧面与第二凸块底金属层的侧面之上；其中保护结构由非金属材料所形成而导电柱由含铜层所形成。本发明提供了用于铜柱凸块技术的侧壁保护工艺，其于铜柱凸块的侧壁上形成由例如一介电材料层、一聚合物层或上述膜层的组合的至少一种非金属的材料膜层所形成的一保护结构。本发明可调整基板的应力，避免了于回焊工艺中沿着凸块底金属层的周围的铜柱的焊锡湿润情形，因此适用于精细间距凸块技术。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 封装 组件 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括：一半导体基板；一第一凸块底金属层，形成于该半导体基板之上；一第二凸块底金属层，形成于该第一凸块底金属层之上，具有一侧面；一导电柱，形成于该第二凸块底金属层之上，具有一侧面与一顶面；以及一保护结构，形成于该导电柱的该侧面与该第二凸块底金属层的该侧面之上；其中该保护结构由一非金属材料所形成，而该导电柱由一含铜层所形成。
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