[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，在该方法中，准备具备衬底、平面状半导体层、及柱状半导体层的构造体，且于柱状半导体层上部形成第2漏极/源极区域、形成接触窗阻挡膜、及形成接触窗层间膜，又于第2漏极/源极区域上形成接触窗。接触窗的形成包含：形成接触窗层的图案，且使用接触窗层的图案将接触窗层间膜蚀刻至接触窗阻挡膜，借此形成接触窗层用的接触窗孔，且通过蚀刻将残存于接触窗层用的接触窗孔的底部的接触窗阻挡膜予以去除的步骤；接触窗用的接触窗孔的底面对于衬底的投影面，位于形成于柱状半导体层上面及侧面的接触窗阻挡膜对于衬底的投影形状的外周内。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含：准备构造体的步骤，该构造体具备：衬底；平面状半导体层，形成于该衬底上方；及柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；第1源极或漏极区域形成步骤，在所述柱状半导体层的下部与所述平面状半导体层形成第1源极或漏极区域；栅极绝缘膜形成步骤，在所述柱状半导体层周围形成栅极绝缘膜；栅极电极形成步骤，在该栅极绝缘膜上形成栅极电极以包围该柱状半导体层；第2漏极或源极区域形成步骤，在所述柱状半导体层的上部形成第2漏极或源极区域；接触窗阻挡膜形成步骤，在该第2漏极或源极区域形成步骤的结果物上形成接触窗阻挡膜；接触窗层间膜形成步骤，在该接触窗阻挡膜上形成接触窗层间膜以埋入该接触窗阻挡膜形成步骤的结果物；及接触窗层形成步骤，在所述第2漏极或源极区域上形成第1接触窗层；所述接触窗层形成步骤包含：图案形成步骤，在所述接触窗层间膜上形成与所述第1接触窗层的形成预定区域对应的第1图案；接触窗孔形成步骤，使用该第1图案将所述接触窗层间膜蚀刻至所述接触窗阻挡膜，借此形成所述第1接触窗层用的第1接触窗孔；及接触窗阻挡膜去除步骤，通过蚀刻将残存于所述第1接触窗孔的底部的所述接触窗阻挡膜予以去除；所述第1接触窗孔的底面对于所述衬底的投影面，位于形成于所述柱状半导体层上面及所述柱状半导体层的上部侧面的所述接触窗阻挡膜对于所述衬底的投影形状的外周内。