[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010259754.0 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102122651A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李尚洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。由于不需要额外间距来形成屏蔽线，所以减小了金属线的CD，从而改善了金属线的数据传送特性、信号收发特性和噪音特性。该半导体器件包括：多根金属线，其布置在半导体器件上；多个绝缘层，其布置在金属线上；以及多个屏蔽线，其布置在绝缘层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一金属线和第二金属线，其布置在限定晶体管的基板上，在所述第一金属线和所述第二金属线之间限定有凹陷部；绝缘层，其共形地形成在所述凹陷部内；以及屏蔽线，其布置在所述第一金属线与所述第二金属线之间并布置在所述凹陷部内，所述绝缘层将所述屏蔽线与以下金属线电隔离：即，所述第一金属线和所述第二金属线。
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