[发明专利]非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法有效
| 申请号： | 201010260550.9 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101996680A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 林瀛湖;姜东求;金亨埈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 系统 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对包括N比特多电平单元MLC存储单元的非易失性存储器编程的方法，其中N是2或更大的整数，所述方法包括：使用递增步长脉冲编程ISPP方法执行第一至第(N‑1)页编程操作，以将第一至第(N‑1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N‑1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程，使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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