[发明专利]半导体元件与其形成方法有效
| 申请号： | 201010260686.X | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102208443A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吴志强;许俊豪;张志豪;谢文兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有区域性应力单元的半导体元件如PMOS元件或NMOS元件及其形成方法。首先，在栅极的相反两侧形成凹陷。之后沿着凹陷底部形成应力诱导区，再形成应力区于应力诱导区上。若应力诱导区的晶格结构大于应力区，将使沟道区具有拉伸应力并适用于NMOS元件。若应力诱导区的晶格结构小于应力区，将使沟道区具有压缩应力并适用于PMOS元件。本发明的实施例可适用于多种基板与半导体元件如平面晶体管及FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一基板；一栅极位于该基板上；以及一源极/漏极区位于该栅极相反的两侧，该源极/漏极区包括一应力诱导区，与位于该应力引发区上的一应力区，该应力区是一半导体材料，且该应力诱导区的材料不同于该基板与该应力区。
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