[发明专利]低吸湿性阿立哌唑晶体Ⅳ、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201010260979.8 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102372672A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 贾春荣;张小娟 | 申请（专利权）人： | 重庆圣华曦药业股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D215/227 | 分类号： | C07D215/227 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人： | 濮家蔚 |
| 地址： | 401336 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 低吸湿性阿立哌唑晶体IV、制备方法及其应用。该晶体IV在CuKα源的X射线衍射图谱中的2θ角为11.6°、17.4°、18.6°、19.9°、23.2°、24.5°、27.0°处有特征峰；差示热量扫描分析中在117.8℃和141.6℃处有吸热峰；热重分析中分别在110.3℃～117.8℃和291.2℃～337.3℃有两次失重。该晶体IV的性质稳定，制备方法简单，并可通过简单的加热即能转化为低吸湿性的阿立哌唑晶体I，为药物制剂领域提供更多形式便于制剂生产的低吸湿性阿立哌唑晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 吸湿性 阿立哌唑 晶体 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
低吸湿性阿立哌唑晶体IV，其特征是：1)在CuKα源的X射线衍射图谱中的2θ角为11.6°、17.4°、18.6°、19.9°、23.2°、24.5°、27.0°处有特征峰；2)差示热量扫描分析中在117.8℃和141.6℃处有吸热峰；3)热重分析中分别在110.3℃～117.8℃和291.2℃～337.3℃有两次失重。
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