[发明专利]生产发光设备的方法有效
申请号: | 201010261067.2 | 申请日: | 2006-03-24 |
公开(公告)号: | CN101950734A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 前田强;松本友孝 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中,虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应,但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何,都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40),根据阳极层(12)的厚度,将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间,形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样,即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时,位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。 | ||
搜索关键词: | 生产 发光 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种生产发光设备的方法,所述方法包括:形成具有反射性质的金属层;将所述金属层构图为反射层;用光透射绝缘保护膜覆盖所述反射层的顶部表面和侧表面;在所述光透射绝缘保护膜上形成导电材料膜;以及将所述导电材料膜构图成阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造