[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010261552.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376597A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双镶嵌结构及其制造方法，所述双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；在所述第一低介电常数介质层上以及沟槽和通孔内形成金属材料；利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料，该化学机械研磨工艺在第一低介电常数介质层表面形成部分损伤的第一介质层；去除所述损伤的第一介质层；在剩余的第一低介电常数介质层上形成第二低介电常数介质层。本发明可防止损伤的第一介质层对后续形成的金属互连线的性能产生不利影响，有利于提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；在所述第一低介电常数介质层上以及所述沟槽和通孔内形成金属材料；利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料，该化学机械研磨工艺在第一低介电常数介质层表面形成部分损伤的第一介质层；去除所述损伤的第一介质层；在剩余的第一低介电常数介质层上形成第二低介电常数介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
