[发明专利]一种Super Junction VDMOS器件无效
| 申请号： | 201010264774.7 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101950759A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;胡涛;邓光平;钱振华;洪辛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分成两段；同时将金属源电极在两段多晶硅栅电极之间的区域向下延伸进N型柱区，并在与N型柱区相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构。另外，金属源电极两端也可做成沟槽式欧姆接触结构。本发明提供的Super Junction VDMOS器件，具有较好的反向恢复特性；在同等反向恢复特性要求下，可降低器件制备时对工艺线宽的要求，使器件尺寸更小；而沟槽式欧姆接触结构，可降低器件接触电阻，并改善器件散热性能。两个沟槽式结构可采用同一张掩模板，使得器件的制造成本不会明显增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 super junction vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种Super Junction VDMOS器件，包括N+衬底(2)、位于N+衬底(2)背底表面的金属漏极(1)、位于N+衬底(2)表面的Super Junction结构、多晶硅栅电极(9)和金属源电极(10)；所述Super Junction结构由两个P型柱区(3)中间夹一个N型柱区(4)形成；Super Junction结构顶部两侧分别具有一个P型基区(5)，P型基区(5)分别与P型柱区(3)和N型柱区(4)接触；两个P型基区(5)中分别具有N+源区(6)和P+体区(7)；所述多晶硅栅电极(9)位于P型基区(5)和N型柱区(4)的上方，与P型基区(5)和N型柱区(4)之间通过栅氧化层相绝缘；所述金属源电极(10)位于器件的最上层，两端分别与两个P型基区(5)中的N+源区(6)和P+体区(7)相接触，与多晶硅栅电极(9)之间通过隔离介质(8)相绝缘；其特征在于，所述多晶硅栅电极(9)在N型柱区(4)上方分成两段；所述金属源电极(10)在两段多晶硅栅电极(9)之间的区域向下延伸进N型柱区(4)，并在与N型柱区(4)相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构(11)。
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