[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法有效
| 申请号： | 201010266056.3 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376645A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;黄敬勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种CMOS器件应力膜的形成方法，包括：提供半导体结构，其包括CMOS器件；在所述CMOS器件的表面形成具有拉伸应力的第一应力膜；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的第一应力膜；在所述PMOS晶体管以及第一应力膜的表面依次形成具有拉伸应力的第二应力膜以及硬掩模层；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模，刻蚀去除位于PMOS晶体管所在区域的第二应力膜。本发明改善了应力膜的均匀性，能够避免应力膜产生断裂或形成空洞的现象，并防止了硬掩模层被过消耗。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 应力 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件应力膜的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，其包括CMOS器件；在所述CMOS器件的表面形成具有拉伸应力的第一应力膜；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的第一应力膜；在所述PMOS晶体管以及第一应力膜的表面依次形成具有拉伸应力的第二应力膜以及硬掩模层；采用光刻工艺，去除位于PMOS晶体管所在区域的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模，刻蚀去除位于PMOS晶体管所在区域的第二应力膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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