[发明专利]改善双应力氮化物表面形态的方法有效
| 申请号： | 201010267561.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376646A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种改善双应力氮化物表面形态的方法，包括步骤：提供衬底，在所述衬底上形成通过浅隔离沟槽隔开的PMOS晶体管和NMOS晶体管；在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管上沉积刻蚀停止层氧化物；在所述NMOS晶体管上的刻蚀停止层氧化物上沉积张应力氮化物；对所述张应力氮化物的表面进行等离子体处理；在所述处理后的张应力氮化物和PMOS晶体管上沉积压应力氮化物；去除所述NMOS上的压应力氮化物；使用H3PO4湿法刻蚀所述张应力与压应力氮化物的表面边界。完成所述改善和平滑双应力氮化物的表面形态的操作。根据本发明的方法，能够有效解决双应力氮化物表面的凸起问题，以改善和平滑双应力氮化物的表面形态，提高半导体晶片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 应力 氮化物 表面 形态 方法 | ||
【主权项】：
一种改善双应力氮化物表面形态的方法，包括步骤：a)提供衬底，在所述衬底上形成通过浅隔离沟槽隔开的PMOS晶体管和NMOS晶体管；b)在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管上沉积刻蚀停止层氧化物；c)在所述NMOS晶体管上的刻蚀停止层氧化物上沉积张应力氮化物；d)对所述张应力氮化物的表面进行等离子体处理；e)在所述处理后的张应力氮化物和PMOS晶体管上沉积压应力氮化物；g)去除所述NMOS上的压应力氮化物；h)使用H3PO4湿法刻蚀所述张应力与压应力氮化物的表面边界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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