[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010267763.4 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208211A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 高在范;边相镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：个体芯片指定码设置模块，被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码，所述多个个体芯片指定码具有不同的编码值，或者所述多个个体芯片指定码中的至少两个具有相同的编码值；个体芯片激活模块，被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号来将所述多个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较，并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个激活。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：个体芯片指定码设置模块，所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码，所述多个个体芯片指定码具有不同的编码值，或者所述多个个体芯片指定码中的至少两个具有相同的编码值；个体芯片激活模块，所述个体芯片激活模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号来将所述多个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较，并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个激活。
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