[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010268580.4 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102339829A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郑文谟 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板，其包括单元区域和外围区域；绝缘膜，其形成在单元区域的半导体基板的顶部上；位线触点孔，其包括使半导体基板露出的经刻蚀的绝缘膜；位线触点插塞，其埋入在位线触点孔中；以及位线，形成在位线触点插塞的顶部以具有与位线触点插塞的宽度相同的宽度。单元位线周围的绝缘膜的厚度被最小化，从而竖直地形成单元位线的剖面，从而改善了存储节点触点和有源区的覆盖裕量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括单元区域和外围区域；掩模图案，其形成在所述半导体基板上；位线触点孔，其延伸穿过所述掩模图案以使所述单元区域中的半导体基板露出；位线触点插塞，其形成在所述位线触点孔内并且电连接至所述半导体基板；以及位线，其形成在所述位线触点插塞上，所述位线和所述位线触点插塞具有大致相同的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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