[发明专利]双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管及方法有效
| 申请号： | 201010270128.1 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386227A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;熊涛;罗啸;刘剑;孙尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管及方法；包括：漏区和位于漏区两侧的体注入区，在漏区具有一层夹断注入层与漏区两侧的体注入区连接。本发明在双扩散漏极金属氧化物场效应晶体管的漏区加入了与体注入区连接的注入结构。在漏区加高电压时漏区纵向的电场可以有效的将漏极耗尽，从而有效减小表面电场。这样可以在承受高电压的同时提供低的导通电阻。同时由于漏区寄生电容减少，器件的工作频率得到有效的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 表面 电场 减弱 隔离 dddmos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管；包括：漏区和位于漏区两侧的体注入区，其特征在于，在漏区具有一层夹断注入层与漏区两侧的体注入区连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010270128.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：印刷装置
- 下一篇：输入装置控制信号产生方法
- 同类专利
- 专利分类
