[发明专利]一种非易失性阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010270510.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101969100A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 尚大山;董春颖;孙继荣;沈保根;赵同云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性阻变存储单元及其制作方法。该非易失性阻变存储单元包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其中所述存储介质层为AgxO薄膜，其中x的范围为1≤x≤2。在本发明中，AgxO(1≤x≤2)薄膜不但可以低温制备，而且电阻发生转变的电压很低(+/-0.3V)，还具有自行调控电阻转变的方向的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性阻变存储单元，包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其特征在于，所述存储介质层为AgxO薄膜，其中x的范围为1≤x≤2。
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