[发明专利]带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201010270782.2 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102002323A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 菅生悠树;天野康弘;松村健;村田修平 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/00;C09J163/00;C09J161/06;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01～100kcps。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 切割 胶粘 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si‑Kα射线强度为0.01～100kcps。
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