[发明专利]空气隧道浮栅存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201010271590.3 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101964358A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种空气隧道浮栅存储单元，包括将空气隧道限定在衬底上，将第一多晶硅层(浮栅)限定在空气隧道上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定空气隧道的侧壁，将第二多晶硅层作为字线限定在氧化物层上。本发明也公开了一种制造空气隧道浮栅存储单元的方法，将牺牲层形成在衬底上，将第一多晶硅层形成在牺牲层上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定牺牲层的侧壁，使用热磷酸(H3PO4)浸泡以蚀刻牺牲层，形成空气隧道。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 隧道 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅存储单元，包括：衬底；空气隧道，限定在该衬底之上；第一多晶硅层，限定在该空气隧道之上；以及氧化物层，限定在该第一多晶硅层之上，使得该氧化物层覆盖该第一多晶硅层并且限定该空气隧道的侧壁。
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