[发明专利]发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201010272426.4 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005465A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈;裴贞赫;文智炯;宋俊午 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光器件及具有该发光器件的发光器件封装。所述发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个发光单元；与所述多个发光单元的第一发光单元的第一导电半导体层连接的第一电极层；在所述发光单元下的多个第二电极层，所述第二电极层的一部分与相邻发光单元的第一导电半导体层连接；设置在所述多个发光单元的最后的发光单元下的第三电极层；与所述第一电极层连接的第一电极；与所述第三电极层连接的第二电极；在所述第一电极层至所述第三电极层周围的绝缘层；和在所述绝缘层下的支撑构件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 以及 具有 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：多个发光单元，所述发光单元包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；与所述多个发光单元的第一发光单元的第一导电半导体层连接的第一电极层；在所述发光单元之下的多个第二电极层，所述第二电极层的一部分与相邻发光单元的第一导电半导体层连接；在所述多个发光单元的最后的发光单元之下的第三电极层；与所述第一电极层连接的第一电极；与所述第三电极层连接的第二电极；在所述第一电极层至第三电极层周围的绝缘层；以及在所述绝缘层下的支撑构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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