[发明专利]保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置有效
申请号: | 201010274831.X | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102013404A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 北原信康 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置,在利用旋转涂覆在晶片表面形成保护膜的方法中,即使减少液态树脂的供给量也能够形成均匀的保护膜。保护膜覆盖方法包括:晶片保持工序,将晶片表面朝上地保持于旋转工作台;水层形成工序,形成覆盖晶片表面的水层;第一液态树脂滴下工序,向水层中的晶片中心部滴下液态树脂;第一树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用作用于水层的离心力使水层飞散并使滴下的液态树脂扩张,从而在晶片表面覆盖第一树脂膜;第二液态树脂滴下工序,向覆盖有第一树脂膜的晶片的中心部滴下液态树脂;和第二树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用离心力使液态树脂沿第一树脂膜向外周流动以形成第二树脂膜。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 覆盖 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种保护膜覆盖方法,该保护膜覆盖方法是在应该进行激光加工的晶片的表面覆盖液态树脂以形成保护膜的方法,其特征在于,该保护膜覆盖方法包括以下工序:晶片保持工序,将晶片以表面朝上的方式保持于旋转工作台;水层形成工序,形成对保持于旋转工作台的晶片的表面进行覆盖的水层;第一液态树脂滴下工序,向该水层中的晶片的中心部滴下液态树脂;第一树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用伴随着晶片的旋转而作用于水层的离心力,使水层飞散并使滴下的液态树脂扩张,由此在晶片的表面覆盖第一树脂膜;第二液态树脂滴下工序,向覆盖有第一树脂膜的晶片的中心部滴下液态树脂;以及第二树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用伴随晶片的旋转的离心力使液态树脂沿第一树脂膜向外周流动,由此来形成第二树脂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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