[发明专利]完全平衡双沟道内存单元有效
| 申请号： | 201010274893.0 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102194514A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;谢志宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种双沟道静态随机存取内存单元，包含四组串联的金氧半场效应晶体管、第一上拉装置以及第二上拉装置。每一前述组串联的金氧半场效应晶体管具有下拉装置以及沟道栅装置。前述第一上拉装置以及第二上拉装置配置以使前述四个下拉装置形成两个交叉耦接反相器。此外，前述四个沟道栅装置的其中两者配置以形成第一沟道，而前述四个沟道栅装置的另外两者则配置以形成第二沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 平衡 沟道 内存 单元 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取内存单元，其特征在于包含：四组串联的金氧半场效应晶体管，每一该组串联的金氧半场效应晶体管具有一下拉装置以及一沟道栅装置；以及一第一上拉装置以及一第二上拉装置，配置以使该四个下拉装置形成两个交叉耦接反相器；其中该四个沟道栅装置的其中两者配置以形成一第一沟道，而该四个沟道栅装置的另外两者则配置以形成一第二沟道。
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