[发明专利]半导体装置和电子设备、及其制造方法有效
申请号: | 201010275333.7 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102034834A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 向田秀子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种摄像机模块(摄像模块)这种半导体装置及其制造方法、与安装了这种半导体装置的电子设备及其制造方法。根据一实施例,包括:半导体基板,具有第1面及其相反侧的第2面,且在第1面上形成具有受光部的活性层;粘接层,设置在所述半导体基板的所述第1面上,使其包围所述受光部;透光性保护部件,在所述半导体基板的所述受光部上相隔规定的间隙进行配置,且经所述粘接层进行粘接;多个外部连接端子,在所述半导体基板的所述第2面上按规定的排列进行配置。位于最外围的外部连接端子中,形成对置的2个边的外部连接端子的中心点配置在将粘接层投影到第2面的区域内。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体基板,具有第1面及其相反侧的第2面,且在第1面上形成有具有受光部的活性层;粘接层,设置在所述半导体基板的所述第1面上,使该粘接层包围所述受光部;透光性保护部件,在所述半导体基板的所述受光部上相隔规定的间隙进行配置,且经所述粘接层而被粘接;以及多个外部连接端子,在所述半导体基板的所述第2面上按矩阵状的排列进行配置,在位于最外围的外部连接端子中,形成对置的2个边的外部连接端子的各中心点都位于将所述粘接层投影到所述第2面而成的区域,即粘接层的投影区域内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010275333.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的