[发明专利]堆栈式半导体封装件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010276386.0 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN101976651A 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 翁承谊;朱吉植;曾健源 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 此处说明一种堆栈式半导体封装件和其相关的堆栈式封装组件及方法。在一实施例中,制造方式包括:(1)提供一包括有数个接触垫的基底,接触垫邻接于基底的上表面;(2)施加一导电材料以形成分别邻接于接触垫的数个导电凸块;(3)电性连接一半导体组件至基底的上表面;(4)施加一封胶材料以形成覆盖此些导电凸块及半导体组件的封胶结构;(5)形成一组切口,切口部份地延伸贯穿封胶结构与此些导电凸块,以形成数个截头导电凸块;以及(6)回焊此些截头导电凸块以形成数个回焊导电凸块。
搜索关键词: 堆栈 半导体 封装 制造 方法
【主权项】:
一种制造方法,包括:提供一基底,该基底包括一上表面及数个邻接于该基底的该上表面的接触垫;施加一导电材料至该基底的该上表面,以形成数个分别邻接于该些接触垫的导电凸块;电性连接一半导体组件至该基底的该上表面;施加一封胶材料至该基底的该上表面,以形成一封胶结构,该封胶结构覆盖该些导电凸块及该半导体组件,该封胶结构包括一第一上表面,且该些导电凸块的数个上端低于该封胶结构的该第一上表面;形成一组切口,该组切口部份地延伸贯穿该封胶结构与该些导电凸块,以形成数个截头导电凸块,该封胶结构包括一第二上表面,该第二上表面低于该封胶结构的该第一上表面,该些截头导电凸块的数个上端实质上对齐该封胶结构的该第二上表面;及回焊该些截头导电凸块,以形成数个回焊导电凸块,该些回焊导电凸块的数个上端突出于该封胶结构的该第二上表面。
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