[发明专利]被加工物的激光加工方法有效
申请号: | 201010277952.X | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102024753A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 植木笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种被加工物的激光加工方法,其能够沿着分割预定线高精度地分割被加工物。某一实施方式中的加工方法包括:第一改性区域形成工序,在被加工物(1)的表面附近形成沿着第一分割预定线和第二分割预定线的第一改性区域(111);第二改性区域形成工序,在被加工物(1)的背面与在第一改性区域形成工序中形成于被加工物(1)内部的第一改性区域(111)之间的预定位置、且在第一分割预定线与第二分割预定线的交叉区域形成第二改性区域(113);以及分割工序,对形成有第一改性区域(111)和第二改性区域(113)的被加工物(1)施加外力,从而将该被加工物(1)沿着第一分割预定线和第二分割预定线分割成一个个芯片。 | ||
搜索关键词: | 加工 激光 方法 | ||
【主权项】:
一种被加工物的激光加工方法,其是沿着第一分割预定线和第二分割预定线分割被加工物的加工方法,所述被加工物构成为:在通过所述第一分割预定线和与该第一分割预定线交叉的所述第二分割预定线划分出的表面侧的区域内形成有功能元件,所述被加工物的激光加工方法的特征在于,该被加工物的激光加工方法包括以下工序:第一改性区域形成工序,在该第一改性区域形成工序中,沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线照射相对于所述被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线,从而在所述被加工物的内部、且在该被加工物的表面附近形成第一改性区域;第二改性区域形成工序,在该第二改性区域形成工序中,向所述第一分割预定线与所述第二分割预定线交叉的交叉区域照射所述脉冲激光光线,从而在所述被加工物的背面与形成于所述被加工物的内部的所述第一改性区域之间的预定位置形成第二改性区域;以及分割工序,在该分割工序中,对形成有所述第一改性区域和所述第二改性区域的所述被加工物施加外力,从而将所述被加工物沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线分割成一个个芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造