[发明专利]蚀刻装置

摘要

本发明提供一种生产的前置时间短且可实现小型化的蚀刻装置。本发明的蚀刻装置沿搬送方向依序配设有：搬送基板K的搬送装置2；第1蚀刻部10，其将蚀刻液供给至基板K上以对金属膜进行蚀刻；对金属膜蚀刻后的基板K进行清洗的第1清洗部15；使清洗后的基板K干燥的第1干燥部20；第2蚀刻部30，其使用包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，于大致大气压下，对基板K上的含硅膜进行蚀刻；对含硅膜蚀刻后的基板K进行清洗的第2清洗部35；以及使清洗后的基板K干燥的第2干燥部40。

主权项

一种蚀刻装置，其特征在于：其是对至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻，该蚀刻装置包括：搬送装置，其朝特定的搬送方向搬送上述基板；第1蚀刻部，其将蚀刻液供给至由上述搬送装置所搬送的基板上，以对上述金属膜进行蚀刻；第1清洗部，其设置于比上述第1蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对金属膜蚀刻后的基板进行清洗；第1干燥部，其设置于比上述第1清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥；第2蚀刻部，其设置于比上述第1干燥部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用至少包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，在大致大气压下，对上述基板的含硅膜进行蚀刻；第2清洗部，其设置于比上述第2蚀刻部更靠近上述搬送方向下流侧，且使用清洗液对含硅膜蚀刻后的基板进行清洗；以及第2干燥部，其设置于比上述第2清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥。