[发明专利]有机发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010281439.8 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102403462A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 周卓辉;曾国晏 | 申请（专利权）人： | 周卓辉 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;王青芝 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管包括第一电极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极。第一空穴传输层设于第一电极上，第二空穴传输层设于第一空穴传输层上。第一发光层设于第二空穴传输层上，且第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶。电子传输层设于第一发光层上，电子注入层设于电子传输层上，而第二电极则设于电子注入层上。其中，第一空穴传输层的厚度大于第二空穴传输层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机发光二极管，包括：第一电极；第一空穴传输层，设于该第一电极上；第二空穴传输层，设于该第一空穴传输层上；第一发光层，设于该第二空穴传输层上，该第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于该第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶；电子传输层，设于该第一发光层上；电子注入层，设于该电子传输层上；以及第二电极，设于该电子注入层上；其中，该第一空穴传输层的厚度大于该第二空穴传输层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周卓辉，未经周卓辉许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010281439.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
