[发明专利]一种CMOS超宽带二分频器结构无效

专利信息
申请号: 201010281878.9 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN101924553A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 梅年松;洪志良 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H03L7/18 分类号: H03L7/18
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于时钟分频技术领域,具体为一种基于标准CMOS工艺的,适用于超宽带的二分频器结构。这种二分频器由两个主从结构差分模拟D锁存器构成。其中,每个D锁存器分别由一对差分NMOS管作为放大部分、一对交叉耦合的正反馈NMOS管作为锁存部分、一对PMOS管作为负载,一对时钟控制NMOS管分别作为放大部分和锁存部分的动态偏置。PMOS管偏置电压大小随频率而变化,一个频率到电压的转换电路给PMOS管负载提供偏置。本发明可有效增加分频器的工作频率范围,其上下限频率比可达250左右。本发明电路同时具备低功耗、低噪声、高速等特点。
搜索关键词: 一种 cmos 宽带 分频器 结构
【主权项】:
1.一种CMOS超宽带二分频器结构,其特征在于,该结构包括两个主从结构差分模拟D锁存器,两个D锁存器接成负反馈形式;其输入为差分信号:,为正弦波信号,或者以为方波信号。
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