[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010282274.6 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102024802A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李柏毅;王宗鼎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/03 | 分类号： | H01L25/03;H01L21/98 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供集成电路结构及其形成方法，该结构包含第一裸片，其包含穿透基底的导孔；第二裸片粘合至第一裸片之上，第一裸片具有一表面，面对第二裸片；以及模塑料，其包含一部分在第一裸片与第二裸片之上。模塑料接触第二裸片的表面，此外，模塑料包含一部分延伸至第二裸片的表面下方。本发明具有许多优点，借由让模塑料延伸至硅穿孔裸片面对顶端裸片的表面下方，可以降低在裸片切割工艺中发生脱层与裂开的可能性，因此可改善所产生的封装组件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一第一裸片，包括至少一个穿透基底导孔；一第二裸片，接合于该第一裸片之上，其中该第一裸片包括一第一表面，面对该第二裸片；以及一模塑料，包括一部分在该第一裸片与该第二裸片之上，其中该模塑料接触该第一裸片的该第一表面，且其中该模塑料包括一第一部分延伸至该第一裸片的该第一表面下方。
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