[发明专利]电子封装、用于电子装置的散热结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010283714.X | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403284A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 谭瑞敏;戴明吉;林谕男 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种用于电子装置的散热结构。散热结构包括：一主体、一含硅绝缘层、一超纳米结晶钻石薄膜及导电图案层。主体具有一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。含硅绝缘层设置于主体的第一表面上。超纳米结晶钻石薄膜与导电图案层设置于含硅绝缘层上。导电图案层被超纳米结晶钻石薄膜包围，且超纳米结晶钻石薄膜与导电图案层在上视方向彼此不重迭。本发明实施例亦揭示一种用于电子装置的散热结构的制造方法以及具有上述散热结构的电子封装。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 封装 用于 装置 散热 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电子装置的散热结构，包括：一主体，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；一含硅绝缘层，设置于该主体的该第一表面上；一超纳米结晶钻石薄膜，设置于该含硅绝缘层上；以及一第一导电图案层，设置于该含硅绝缘层上且被该超纳米结晶钻石薄膜包围，其中该超纳米结晶钻石薄膜与该第一导电图案层在上视方向彼此不重迭。
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