[发明专利]双大马士革结构中的沟槽刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革结构中的沟槽刻蚀方法，该方法通过在第一刻蚀条件下，对所述硬掩膜层进行刻蚀，由于在该刻蚀条件下能产生较多的聚合物，从而保证沟槽的侧面垂直；在第二刻蚀条件和第三刻蚀条件下，对所述通孔内的底部抗反射层进行刻蚀，使得所述第一介质层的高度高于所述通孔内的底部抗反射层的高度；在第四刻蚀条件下对所述通孔之间的第一介质层进行刻蚀，从而使所述通孔之间的第一介质层的拐角圆形化；该方法简单方便，且不会对电路造成其它影响。

主权项

一种双大马士革结构中的沟槽刻蚀方法，用于在形成通孔之后制备沟槽，其中，所述沟槽与两个及两个以上的通孔相连，所述通孔位于第一介质层内，且穿通所述第一介质层，所述通孔之间通过第一介质层隔离，所述第一介质层位于下层金属层上，所述第一介质层与所述下层金属层之间制备有刻蚀阻挡层，所述通孔两侧的第一介质层上制备有硬掩膜层，其特征在于，该方法包括如下步骤：在所述通孔内沉积底部抗反射层，所述底部抗反射层填满所述通孔，并覆盖所述硬掩膜层；在所述底部抗反射层上依次沉积第二介质层、顶部抗反射层以及光阻；将所述光阻图形化，定义沟槽图形；以所述被图形化的光阻为掩膜，分别对所述顶部抗反射层、所述第二介质层以及所述底部抗反射层进行刻蚀，直至露出所述硬掩膜层；以所述被图形化的光阻为掩膜，在通入CF4和CHF3的第一刻蚀条件下，对所述硬掩膜层进行刻蚀，直至露出所述第一介质层，形成图形化的硬掩膜层；以所述被图形化的硬掩膜层为掩膜，在通入CO2或O2或N2的第二刻蚀条件下，对所述通孔内的底部抗反射层进行刻蚀；以所述被图形化的硬掩膜层为掩膜，对所述第一介质层及所述通孔内的底部抗反射层进行刻蚀，形成沟槽；以所述被图形化的硬掩膜层为掩膜，在通入CO2或O2或N2的第三刻蚀条件下，对所述通孔内的底部抗反射层进行刻蚀；以所述被图形化的硬掩膜层为掩膜，在通入CF4和CHF3的第四刻蚀条件下，对所述通孔之间的第一介质层进行刻蚀；去除所述被图形化的光阻、顶部抗反射层、第二介质层以及底部抗反射层；去除所述通孔正下方的刻蚀阻挡层，使所述通孔与所述下层属层接触。