[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010286340.7 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101982876A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 翁肇甫;王昱祺 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/52;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一线路结构、第一半导体组件、第一介电层、贯孔导电结构、第二线路结构、第二半导体组件、第二介电层及强化结构。第一介电层包覆第一半导体组件，第一介电层定义贯穿部并具有对应贯穿部的贯穿部壁面。贯孔导电结构形成于贯穿部壁面上并电性连接于第一线路结构。第二线路结构电性连接于贯孔导电结构。第二半导体组件设于第二线路结构上并电性连接于贯孔导电结构。第二介电层包覆第二半导体组件。强化结构用以强化半导体封装件的强度，其中第二介电层位于第一线路结构与强化结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：一第一线路结构；一第一半导体组件，设于该第一线路结构上；一第一介电层，定义一第一贯穿部并包覆该第一半导体组件，该第一介电层具有对应该第一贯穿部的一第一贯穿部壁面，该第一贯穿部露出该第一线路结构；一贯孔导电结构，至少形成于该第一贯穿部壁面上并电性连接于该第一线路结构；一第二线路结构，覆盖该第一介电层并电性连接于该贯孔导电结构；一第二半导体组件，设于该第二线路结构上，该第二半导体组件透过该第二线路结构电性连接于贯孔导电结构；一第二介电层，包覆该第二半导体组件；以及一强化结构，用以强化该半导体封装件的强度，其中该第二介电层位于该第一线路结构与该强化结构之间。
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