[发明专利]具有垂直凸出物的浮栅结构有效
申请号: | 201010287340.9 | 申请日: | 2004-06-09 |
公开(公告)号: | CN102034828A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 杰弗里·卢策;图安·法姆;亨利·钱;乔治·玛塔米斯 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/423 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示浮栅结构(230),其具有一远离衬底表面延伸的凸出物。此凸出物(232,234)可为浮栅提供用于耦合浮栅与控制栅的增加的表面积。在一个实施例中,字线在浮栅的每一侧上向下延伸以屏蔽同一串中的各相邻浮栅。在另一实施例中,揭示一种用于制作具有凸出物的浮栅的方法。该凸出物可形成为自对准于浮栅的其余部分。 | ||
搜索关键词: | 具有 垂直 凸出 结构 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储单元阵列,其包括在衬底表面上布置成串形式的非易失性存储元件,所述串通过隔离元件与相邻串分离,每一非易失性存储元件具有一浮栅,所述浮栅包括第一浮栅部分和第二浮栅部分,其中每个第二浮栅部分都自所述第一浮栅部分的上表面延伸以沿所述串的方向形成倒T形剖面形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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