[发明专利]去除三氯氢硅中硼杂质的方法有效
| 申请号： | 201010288968.0 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101913610A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张新;王璜;李强;卢涛;毕有东 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 罗丽;武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于三氯氢硅的提纯技术领域，特别涉及去除三氯氢硅中硼杂质的方法。本发明所要解决的技术问题是提供去除三氯氢硅中硼杂质的方法，该方法步骤简单、易操作，成本较低。所述去除三氯氢硅中硼杂质的方法具体为：在三氯氢硅中添加活性炭，混匀、静置，过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。本发明所需设备较少，不需要其它辅助配套设施。可以和精馏方法连用，即利用活性炭对需要精馏去除B杂质的氯硅烷进行吸附预处理，吸附90～120min后，再进入精馏塔进行精馏。可减少精馏塔数量，节约设备投资；降低能耗，减少精馏过程后，可以节约精馏所需蒸汽、电耗、制冷剂等，降低生产能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 三氯氢硅中硼 杂质 方法 | ||
【主权项】：
去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：在三氯氢硅中添加活性炭，混匀、静置吸附，过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。
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