[发明专利]一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201010292838.4 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101980383A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 季辉;梁智勇;艾建军;林振贤;何大庆 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片，包括有源层，有源层由一个或多个量子阱垒组成，量子阱垒自下而上依次包括阱层、第一垒层、第二垒层。本发明所提供的氮化镓基LED外延片通过改变有源层的生长方法，减少在高低温变化过程中引起的有源层中各晶粒间的内应力，进而提高外延片内量子效率和亮度。同时，在本发明中还提供了一种氮化镓基LED外延片的生长方法，该方法具有步骤简单、容易操作，效果明显的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 化合物 半导体 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基III‑V族化合物半导体LED外延片，包括有源层，其特征在于，所述有源层由一个或多个量子阱垒组成，所述量子阱垒自下而上依次包括阱层(51)、第一垒层(52)、第二垒层(53)。
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