[发明专利]有源元件、像素结构以及显示面板无效
| 申请号： | 201010293365.X | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102064180A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈昱丞;李怡慧;林志宏;陈茂松 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/41;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种有源元件、像素结构以及显示面板。此像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、栅极绝缘层、像素电极、电容电极以及电容介电层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。栅极绝缘层设置在栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间。电容介电层位于电容电极与漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 元件 像素 结构 以及 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种像素结构，位于基板上，包括：扫描线以及数据线；有源元件，包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中该扫描线与该栅极电性连接，该源极与该数据线电性连接；栅极绝缘层，位于该栅极与该沟道之间；像素电极，与该漏极电性连接；以及电容电极，位于该栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间；电容介电层，位于该电容电极与该漏极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010293365.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
