[发明专利]静电保护用半导体装置

摘要

在静电保护用半导体装置中，通过共有配置在ESD保护元件的周围的保护环和保护内部电路免受闩锁试验的过电流噪声的影响的闩锁保护二极管的负极，保护内部电路免受ESD的过电流噪声和闩锁试验的过电流噪声这两种噪声的影响，并能谋求实现尺寸的缩小。

主权项

一种静电保护用半导体装置，其中包括：半导体衬底；配置在所述半导体衬底的表面并且在输入/输出端子与接地端子之间连接的ESD保护元件；包围所述ESD保护元件的与所述半导体衬底相同导电型的第一阱区；在所述第一阱区上以包围所述ESD保护元件的方式设置的与所述半导体衬底相同导电型的第一高浓度衬底区；包围所述第一阱区的外侧的与所述半导体衬底相反导电型的第二阱区；设于所述第二阱区内的与衬底相同导电型的高浓度正极区；以及以分别包围所述高浓度正极区和所述第一阱区并且共用其一部分的方式配置在所述第二阱区内的与所述半导体衬底相反导电型的第二高浓度扩散区，所述高浓度正极区与所述输入/输出端子连接，所述第一高浓度衬底区与所述接地端子连接，所述第二高浓度扩散区与电源端子连接。