[发明专利]半导体存储器件及其数据读取方法无效
| 申请号： | 201010297101.1 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034530A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 表锡洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：第一位线对，由第一均衡器电路均衡至第一电压电平；第二位线对，由第二均衡器电路均衡至第二电压电平；隔离电路，设置在第一位线对和第二位线对之间，该隔离电路被配置为对第一位线对和第二位线对进行电连接或隔离；以及感应放大器，电连接至第二位线对，该感应放大器被配置为感应第二位线对的电压差，其中，在感应放大器感应第二位线对的电压差时，隔离电路隔离第一位线对和第二位线对之间的连接之一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一位线对，由第一均衡器电路均衡至第一电压电平；第二位线对，由第二均衡器电路均衡至第二电压电平；隔离电路，设置在第一位线对和第二位线对之间，该隔离电路被配置为对第一位线对和第二位线对进行电连接或隔离；以及感应放大器，电连接至第二位线对，该感应放大器被配置为感应第二位线对的电压差，其中，在感应放大器感应第二位线对的电压差时，隔离电路隔离第一位线对和第二位线对之间的连接之一。
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