[发明专利]制备双大马士革结构的方法无效
| 申请号： | 201010297241.9 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102082118A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备双大马士革结构的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层以及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义了通孔结构；形成覆盖所述刻蚀阻挡层和所述图形化的光刻胶层的介质层；光刻并刻蚀所述介质层至暴露出所述图形化的光刻胶层，以形成沟槽；去除所述图形化的光刻胶层以及所述图形化的光刻胶层下方的刻蚀阻挡层，以形成与所述沟槽连通的通孔；在所述通孔和沟槽内填充金属。该发明大大简化了传统双大马士革工艺的通孔填充和刻蚀步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大马士革 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备双大马士革结构的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层以及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义了通孔结构；形成覆盖所述刻蚀阻挡层和所述图形化的光刻胶层的介质层；光刻并刻蚀所述介质层至暴露出所述图形化的光刻胶层，以形成沟槽；去除所述图形化的光刻胶层以及所述图形化的光刻胶层下方的刻蚀阻挡层，以形成与所述沟槽连通的通孔；在所述通孔和沟槽内填充金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010297241.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
