[发明专利]氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010297408.1 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437260A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。与现有技术相比，上述氮化镓基紫外光发光二极管的横向生长增强层内掺杂杂质，杂质提高形成横向生长增强层时的横向生长速度，进而提高横向生长增强层的生长品质，从而有助于最终形成具有较佳品质的氮化镓基紫外光发光二极管。本发明还公开一种氮化镓基紫外光发光二极管制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 紫外光 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，其特征在于：还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。
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