[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法有效
申请号: | 201010298454.3 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102033417A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯 光掩模 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模坯,具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层,其特征在于,所述掩模层具有:配置在所述透明衬底上的半透明的相移层;配置在所述相移层上的刻蚀停止层;以及配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层,所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成,并且,由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010298454.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:聚四氟乙烯细粉的制造方法
- 下一篇:叶面肥料
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备