[发明专利]氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法无效
| 申请号： | 201010500568.1 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102030362A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕弋;席毛洋;刘睿 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在钨丝表面制备纳米二氧化锡材料的方法，其特征在于利用涂有活性炭的钨丝作为加热装置和材料沉积的衬底，通过氢化物发生生成的SnH4作为前驱物，在常压条件下进行化学气相沉积即可得到纳米二氧化锡材料。此方法不需要其它大型设备，装置简单，反应时间短，原料用量少，反应条件温和，成本较低。该制备方法可有望拓展到其它可生成化学蒸气的元素相应氧化物纳米材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化物 沉积 制备 纳米 sno sub 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氢化物沉积的制备纳米SnO2材料的方法，其特征在于，利用Sn元素的氢化物发生产生的气态SnH4作为前驱物，由氩气流载入到预加热的涂有活性炭的钨丝表面上，通过一段时间的沉积来制备纳米SnO2材料，得到SnO2活性炭复合材料。
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