[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，主要是利用一个具有多种不同透光度的多灰阶光罩(Multi-tone mask，MTM)取代现有的薄膜晶体管制作时所使用具有单一透光度的光罩，而可简化现在薄膜晶体管的五层光罩制程，不仅可使设备整合，降低设备投资、材料，及制作成本，且简化光罩、降低光罩设计成本，可有效提升制程良率、降低生产时程(cycle time)及制程成本。

主权项

一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板的制作方法包括一闸极电极形成步骤、一薄膜晶体管形成步骤，及一画素电极形成步骤，该闸极电极形成步骤是自一基材向上依序形成一第一金属层，及一第一光阻层后，以微影蚀刻制程配合一闸极光罩令第一金属层形成一闸极电极，该薄膜晶体管形成步骤是自该基材，及该闸极电极向上依序形成一绝缘层、一主动半导体层、一掺杂半导体层、一第二金属层、一保护层，及一第二光阻层后，以微影蚀刻制程配合一多灰阶光罩令该第二光阻层形成一遮覆该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层预定结构的图案化光阻层，且该图案化光阻层在对应该闸极电极和该闸极电极相反二侧位置具有不同厚度，接着移除未被该图案化光阻层遮覆的该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层的结构，然后再以该图案化光阻层为遮罩，配合多次蚀刻方式形成一对应该闸极电极上方且令该主动半导体层裸露出的通道，及二位于该通道相反两侧并令该第二金属层裸露的接触窗，制得一对应于该闸极电极的薄膜晶体管结构，该画素电极形成步骤是于该薄膜晶体管结构的预定位置形成一由透明导电材料构成的画素电极，完成该薄膜晶体管基板的制作。