[发明专利]一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO2氧化膜的方法无效
| 申请号： | 201010508916.X | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101967625A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 司乃潮;邵红红;司松海;刘光磊;张志敏 | 申请（专利权）人： | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10 |
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| 地址： | 212009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO2氧化膜的方法，属于记忆合金和磁控溅射技术领域，其特征在于：采用JGP560CVI型超高真空多功能磁控溅射设备，材料为NiTiV记忆合金，靶材为99.9％的纯钛，靶厚3mm，直径60mm。氧气和氩气纯度为99.99％。镀膜工艺流程为：除油(丙酮加无水乙醇超声清洗)、酸洗除锈(10％稀硫酸溶液)、抽真空、样品反溅清洗、靶材反溅清洗、进行镀膜。磁控溅射的TiO2薄膜的沉积速率随功率增加而增加，基本上成线性关系。如果功率过小，薄膜沉积速率小，薄膜厚度较薄，与基体结合力差。若功率过大，薄膜的晶粒易出现烧结现象，薄膜致密性也不好，厚度不均匀。本发明功率选择六个梯度：100W、120W、140W、160W、180W、200W。 | ||
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【主权项】：
一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO2氧化膜的方法，其特征在于：采用JGP560CVI型超高真空多功能磁控溅射设备，材料为NiTiV记忆合金，靶材为99.9％的纯钛，靶厚3mm，直径60mm；氧气和氩气纯度为99.99％；镀膜工艺流程为：除油丙酮加无水乙醇超声清洗、酸洗除锈10％稀硫酸溶液、抽真空、样品反溅清洗、靶材反溅清洗、进行镀膜；磁控溅射的TiO2薄膜的沉积速率随功率增加而增加，基本上成线性关系；如果功率过小，薄膜沉积速率小，薄膜厚度较薄，与基体结合力差；若功率过大，薄膜的晶粒易出现烧结现象，薄膜致密性也不好，厚度不均匀；本发明功率选择六个梯度：100W、120W、140W、160W、180W、200W。
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