[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法无效
| 申请号： | 201010509346.6 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447058A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器底部电极的制作方法，基本步骤包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介电层，所述第一介电层中形成有导电插塞；去除部分导电插塞，形成第一凹槽；至少在所述第一凹槽的内壁形成第一掩模层，构成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成第二掩模层；以第二掩模层为掩模依次刻蚀第一掩模层以及部分导电插塞形成插塞尖端；去除所述第一掩模层以及第二掩模层。与现有技术相比，本发明所述底部电极与相变层的接触面积大幅缩小，在提高加热效果的同时有效降低器件功耗；所述底部电极与半导体衬底接触的一端仍可具备较大的接触面积，避免了制作过程中底部电极从半导体衬底的表面脱落的现象出现。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 底部 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介电层，所述第一介电层中形成有导电插塞；去除部分导电插塞，形成第一凹槽；至少在所述第一凹槽的内壁形成第一掩模层，构成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成第二掩模层；以第二掩模层为掩模依次刻蚀第一掩模层以及部分导电插塞形成插塞尖端；去除所述第一掩模层以及第二掩模层。
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