[发明专利]失效分析结构、其形成方法及其失效分析方法有效
| 申请号： | 201010509365.9 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446901A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 梁山安;牛崇实 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G01R31/307 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种失效分析结构的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一导电插塞及第二金属层，所述第二金属层通过第一导电插塞与第一金属层依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层通过第二导电插塞与第二金属层相连。本发明还提供一种失效分析结构及其失效分析方法。本发明失效分析结构和失效分析方法仅需要暴露出测试金属层，不会损害第二金属层，提高失效分析结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 分析 结构 形成 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种失效分析结构的形成方法，所述失效分析结构用于对半导体产品中的导电插塞进行失效分析，所述导电插塞用于电连接半导体产品中相邻的两层金属层的金属块，其特征在于，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金属层，所述第一金属层由分立的金属块构成；在所述第一金属层的金属块上依次形成第一绝缘层及第二金属层，所述第一绝缘层内具有贯穿其厚度的第一导电插塞，所述第二金属层由分立的金属块构成，所述第二金属层金属块通过第一导电插塞与第一金属层金属块依次相连构成串联结构；在所述第二金属层上形成第二绝缘层及位于所述第二绝缘层内的第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层金属块相连；在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层由分立的金属块构成，所述测试金属层金属块通过第二导电插塞与第二金属层金属块一一对应相连。
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