[发明专利]降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法无效
| 申请号： | 201010509490.X | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102005389A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郝付泼;谢凡;覃事建;王文伟;何瑞锄;于春崎;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 曹志霞;李赞坚 |
| 地址： | 516600 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。本发明由于在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在TFT的沟道区保护层上增加一附加保护层，覆盖TFT沟道区域，因此，可以阻挡后续金属类薄膜制作时一些导电粒子注入或扩散进入到TFT沟道上方的沟道区保护层中，避免引起“浮栅”效应，从而有效降低TFT漏电流，本发明提供的制作方法，可使TFT-array漏电流降低约一个数量级以上。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 沟道 刻蚀 tft 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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