[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010511012.2 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN102064142A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 佐藤公敏;奥村美香;山口靖雄;堀川牧夫 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;G01P15/125;G01P1/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;高为
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。第一布线(13)沿着衬底(SB1)的槽部设置在槽部的底面上,并具有第一膜厚。第二布线(3)与第一布线(13)电连接,并具有比第一膜厚厚的第二膜厚。加速度检测部(EL)与第二布线(3)电连接。密封部(6S)具有与衬底(SB1)之间夹持第一布线(13)的部分,在衬底(SB1)上包围第二布线(3)及加速度检测部(EL)。盖层(10)以在衬底(SB1)上的被密封部(6S)包围的区域上形成腔(CV)的方式设置在密封部(6S)上。由此,确保腔(CV)的气密性和降低与加速度检测部(EL)连接的布线的电阻可以并存。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,具备:具有槽部的衬底;布线,以在与上述槽部的侧面之间形成凹部的方式,沿着上述槽部设置在上述槽部的底面上;覆盖膜,由一种材质构成并覆盖上述凹部的内表面;填充部,由与上述一种材质不同的材质构成,填充被上述覆盖膜覆盖的上述凹部;设置在上述衬底上并与上述布线电连接的元件;具有与上述衬底之间分别夹持上述布线及上述填充部的部分并且在上述衬底上包围上述元件的构件;以在上述衬底上的被上述构件包围的区域上形成腔的方式设置在上述构件上的盖层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010511012.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top