[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010514755.5 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456731A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 廖晋毅;李静宜;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构，包含位于基材中的凹穴、非掺杂外延层与掺杂外延层。非掺杂外延层位于凹穴的内表面上，并实质上由硅与一外延材料所组成。非掺杂外延层覆盖凹穴内表面的底部与侧壁，而底部的厚度不超过与侧壁厚度的120％。非掺杂外延层与掺杂外延层一起填满凹穴。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：基材；栅极结构，位于该基材上；源极，位于该基材中并邻近该栅极结构；以及漏极，位于该基材中并邻近该栅极结构，其中该源极以及该漏极的至少一者包含：凹穴，位于该基材中；非掺杂外延层，位于该凹穴的内表面上并实质上由硅与一外延材料所组成，该非掺杂外延层具有一底部与一侧壁而覆盖该凹穴的内表面，其中该底部的厚度不超过与该侧壁厚度的120％；以及掺杂外延层，其包含硅、该外延材料与一掺质，而填入该凹穴中，其中由于该非掺杂外延层，而使得该掺杂外延层完全不接触该基材。
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